电源管理芯片过热会导致芯片性能退化甚至烧毁，破坏设备供电稳定性，检测需聚焦温度监测与散热优化，修复需确保芯片工作在安全温度范围，保障核心配件持续稳定供电。从影响来看，首先是供电电压波动，芯片过热（如正常工作温度≤85℃，过热后升至 120℃）会导致其稳压功能退化，输出电压偏差从 ±2% 增至 ±10%（如 24V 供电降至 21.6V 或升至 26.4V），高频模块、信号处理单元等配件会因供电不稳出现频率漂移、转换精度下降，料位检测值频繁波动（如 ±0.3m）。其次是芯片保护性 shutdown，过热达到阈值（如 150℃）时，芯片会自动切断输出，导致设备突然断电，未保存的料位数据丢失，同时可能引发 MCU 程序跑飞，设备重启后需重新配置参数，增加维护时间。此外，芯片寿命缩短，根据 “热失效模型"，芯片温度每升高 10℃，寿命约缩短一半，长期过热会使芯片寿命从 5 年缩短至 1 年，增加设备更换成本，且突发烧毁可能引发电源短路，损坏其他核心配件。检测与修复步骤如下：检测芯片温度，准备红外测温仪（精度 ±1℃）、热成像仪：设备正常运行 1 小时后，测量电源管理芯片（如 MP2359）表面温度，正常应≤85℃，超过 100℃判定过热；用热成像仪观察芯片周边电路，若存在局部高温区域（如周边电阻温度＞90℃），可能存在电路异常。排查过热原因，检查芯片：是否存在供电输入电压过高（如 24V 设备输入 30V），需在输入端加装过压?；つ？?；测量芯片输出电流，若超过额定电流（如芯片额定 2A，实际 2.3A），检查下游配件是否存在短路（如信号处理单元主板短路），修复短路故障；检查芯片散热措施，若未安装散热片或散热片松动，散热不良会导致过热。第三步修复过热故障，针对原因处理：输入电压过高，加装 DC-DC 降压?？椋ㄈ缃?30V 降至 24V）或过压保护 TVS 管（如 SMBJ28CA）；输出过载，修复下游短路配件，若负载确实较大，更换更高额定电流的电源管理芯片（如从 2A 更换为 3A）；散热不良，安装适配散热片（如铝制散热片，面积≥10cm2），涂抹导热硅脂（厚度 0.1-0.2mm），确保芯片与散热片紧密贴合，必要时加装小型散热风扇（如 5V/0.1A）。